图九、问题光电突触器件（a）MoOx光电突触器件的示意图结构。

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a，游戏永远c，e在一定数量的高周疲劳（HCF）之后，峰值时效（PA）合金沿晶界出现较大的局部表面起伏。本内容为作者独立观点，解释不代表材料人网立场。

PSBs的形态表现为有规则的间隔，问题由位错-位错偶极子将其分隔成类似阶梯的结构。

(E)含有87nm×87nm×246nm的原子探针层析重建29.5x10^6个离子，担心显示了所有原子和Mo.Nb或Ti原子的空间分布[6]。入驻夏普不到五个月时间里，游戏永远他主导的内外部改革已经带给这家推进过ICU的百年企业重焕般的活力。

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